新华社东京4月5日电（记者钱铮）日本一个研讨团队研制出一种半导体纳米通道器材，给这种器材施加磁场能使其电阻值发生高达250倍的改变。此现状未来有望用于开发新式电子元器材等。相关论文已宣布在世界学术期刊《先进资料》上。

  日本东京大学近来发布公报说，该校研讨人员领衔的团队研制出一种通道长20纳米的锗半导体纳米通道器材，它归于半导体两头器材，具有铁和氧化镁双层结构的电极，还添加了硼元素。研讨人员观察到，经过给这种器材施加磁场能使其表现出电阻开关效应，外加磁场还使其完成了高达250倍的电阻改变率。研讨人员给这种现象取名为“巨磁阻开关效应”。

  公报说，现在仅能在20开尔文（约零下253摄氏度）的低温度的环境下观测到这种“巨磁阻开关效应”。研讨团队下一步将致力于进步“巨磁阻开关效应”呈现的温度，以便将其用于开发新式电子元器材等。

  电阻开关效应一般指，资料可以在外电场效果下在低电阻态和高电阻态之间可逆转化。根据电阻开关效应的电阻式随机存取存储器被视为最存在竞争力的下一代非易失性存储器之一。

  传统的动态随机存取存储器是使用电容贮存电荷多少来存储数据，其一大缺陷是数据的易失性，电源意外堵截时会丢掉存储数据。而电阻式随机存取存储器是经过向器材施加脉冲电压发生电阻凹凸改变，以此表明二进制中的“0”和“1”，其存储数据不会因意外断电而丢掉，是一种处于开发阶段的下一代内存技能。

  论文榜首作者、东京大学研讨生院工学系研讨科教授大矢忍承受新华社记者邮件采访时说，现在已有许多关于电阻开关效应的研讨，但此前对电阻开关效应的“磁场依存性”重视较少。新效果将来有望在电子范畴得到使用，特别是用于神经形状核算以及开发下一代存储器、超高灵敏度传感器等新式器材。

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